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基板用商品

リレー

MOS FETリレー VSON 低端子間容量&低オン抵抗タイプ (低C×R)

G3VM-41UR□ / 51URオムロン

実装面積 3.55mm2の小型VSONをラインナップ。低C×Rを実現したMOS FETリレー

オムロン MOS FETリレー VSON 低端子間容量&低オン抵抗タイプ (低C×R) G3VM-41UR□ / 51URのイメージ

特長

■ 負荷電圧 40V/50V

■ 形G3VM-41UR12:低C×R=4.5pF・Ω、COFF(標準)=0.3pF、RON(標準)=15Ω

■ 形G3VM-41UR10:低C×R=5.4pF・Ω、COFF(標準)=0.45pF、RON(標準)=12Ω

■ 形G3VM-41UR11:低C×R=4.9pF・Ω、COFF(標準)=0.7pF、RON(標準)=7Ω

■ 形G3VM-41UR4:低C×R=10pF・Ω、COFF(標準)=5pF、RON(標準)=2Ω

■ 形G3VM-51UR:低C×R=12pF・Ω、COFF(標準)=12pF、RON(標準)=1Ω

■ 高温対応(使用周囲温度:−40℃〜110℃)

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