新商品情報

MOS FETリレーモジュール

G3VM-□MTオムロン

漏れ電流*1pA以下により機器の高信頼性化に貢献
*VOFF =20V、50V、80V

オムロン MOS FETリレーモジュール G3VM-□MTのイメージ

特長

■ Tスイッチ機能搭載でfAレベルの極小漏れ電流を実現し、従来のリードリレーと同等の計測性能に貢献

■ 接点構成:1a+Tスイッチ機能

■ 小型パッケージでプリント基板上の実装スペース削減に貢献

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